本報訊（記者薛婧）記者從哈爾濱科友半導體產業(yè)裝備與技術研究院有限公司（簡稱科友半導體）獲悉，日前，該公司碳化硅晶體生長車間傳來捷報，其自主研發(fā)的電阻長晶爐再次實現突破，成功制備出多顆中心厚度超過80mm，薄點厚度超過60mm的導電型6英寸碳化硅單晶，這也是國內首次報道和展示厚度超過60mm的碳化硅原生錠毛坯，厚度是目前業(yè)內主流晶體厚度的3倍，單片成本較原來降低70%，有效提高企業(yè)盈利能力。
據科友半導體技術總監(jiān)張勝濤介紹，物理氣相傳輸（PVT）法生長碳化硅單晶具有質量可控、工藝成熟的優(yōu)勢，但晶體厚度一直是主要制約，而溶液法在提高晶體厚度方面表現突出，但是目前仍尚未能實現真正的產業(yè)化生產。科友半導體基于自研電阻爐，通過借鑒溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生長高厚度晶體的限制，充分利用了PVT法單晶穩(wěn)定生長的優(yōu)勢，將兩種制備方法的優(yōu)勢結合到一起，成功制備出大厚度晶體。
“大厚度晶體的成功制備標志著科友半導體突破了大厚度碳化硅單晶生長的關鍵技術難題，向大尺寸碳化硅襯底低成本量產邁出了堅實一步?！睆垊贊f。
“晶體厚度達到60mm，幾乎達到業(yè)內主流晶體厚度的3倍，單片成本降低到原來的30%左右，即成本下降幅度達到70%，同時由于單顆晶體的出片率大幅提升，相當于企業(yè)盈利能力翻了3倍?！睆垊贊f。
科友半導體在哈爾濱新區(qū)打造產、學、研一體化的第三代半導體產學研聚集區(qū)，實現碳化硅材料端從原材料提純到裝備制造、晶體生長、襯底加工等全產業(yè)鏈閉合，致力成為全球第三代半導體關鍵材料和高端裝備主要供應商。